新しいMOSFETモジュール

onsemi NXH015F120M3F1PTGシリコンカーバイド（SiC）モジュール
onsemi NXH015F120M3F1PTG シリコンカーバイド (SiC) モジュールは、15mΩ/1200V M3S SiC MOSFETフルブリッジ・トポロジおよびサーミスタが特長で、Al2O3 DBC基板を採用しており、F1パッケージで提供されます。このパワーモジュールは、ゲート・ソース電圧+22V/-10V、連続ドレイン電流77A @ TC = 80°C (TJ = 175°C)、最大電力消費198W、沿面距離12.7mmに仕様が規定されています。.NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFETには、事前に適用された熱インターフェイス素材（TIM）が備わっており、TIMが事前に適用されていません。SiCモジュールは、無鉛、ハライドフリー、RoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションには、ソーラーインバータ、無停電電源装置、電気自動車充電ステーション、産業用電源があります。